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主要有2个问题:第一个障碍是gan晶体管的耗尽性质;有效功率和逻辑电路需要常开和常关两种类型的晶体管。虽然可以生产常关型gan晶体管,但它们要么依赖于典型的硅mosfet,要么需要特殊的附加层,这使得它们难以收缩。不能以与当前硅晶体管相同的规模生产gan晶体管也意味着它们在cpu和其他微**中使用是不实际的。第二个问题是用于制造增强型gan晶体管的唯一已知方法(在写入时)是使用获得专利的松下方法来使用额外的algan层。这意味着涉及这种晶体管类型的任何创新将依赖于panasonic,直到可以研究其他方法。
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